Transistor 2sj615 (JFET) Canal P R$ 13,50 ou em até 1x de R$ 13,50 no cartão Comprar Transistor 2sj615 (JFET) Canal P O 2SJ615 é um transistor de efeito de campo de junção (JFET) de potência produzido pela Sanyo. É um dispositivo de canal P, o que significa que a corrente flui através de um canal formado por portadores de carga negativa (elétrons) que se movem em direção Entrega imediata Referência: 7618271831400 R$ 13,50 ou em até 1x de R$ 13,50 no cartão Desconto progressivo Quantidade Valor 2 até 4 unidades R$ 13,50 / un. 5 até 10 unidades R$ 12,83 / un. -5% acima de 11 unidades R$ 12,15 / un. -10% Comprar Esse produto encontra-se indisponível. Deixe seu contato que avisaremos quando chegar. Seu nome: Seu e-mail: Desejo receber e-mails com lançamentos e promoções. Avise-me quando disponível Indicar este produto Veja opções de pagamento R$ 13,50 à vista Boleto Bancário R$ 13,50 à vista Parcelas 1x de R$ 13,50sem juros Opções de pagamento Detalhes R$ 13,50 2SJ615 - Transistor JFET de Canal P da SanyoDescrição do ProdutoO 2SJ615 é um transistor de efeito de campo de junção (JFET) de potência de canal P, produzido pela Sanyo, ideal para aplicações de comutação ultrarrápida.Características PrincipaisTipo de Transistor: JFET de Canal PTensão Máxima de Drenagem-Fonte (Vds): 30VTensão Máxima de Gate-Fonte (Vgs): ±20VCorrente Máxima de Drenagem (DC): 2.5ACorrente Máxima de Drenagem (Pulso): 10A (com ciclo de trabalho ?1% e largura de pulso ?10µs)Dissipação de Potência Máxima: 1.0W (montado em uma placa de cerâmica de 250mm² x 0.8mm), 3.5W (Tc=25°C)Temperatura Máxima de Canal (Tch): 150°CTemperatura de Armazenamento (Tstg): -55°C a +150°CCaracterísticas Elétricas a Ta=25°CParâmetroSímboloCondiçõesMínimoTípicoMáximoUnidadeTensão de Ruptura Drenagem-FonteV(BR)DSSID=1mA, VGS=0-30--VCorrente de Drenagem a Zero GateIDSSVDS=-30V, VGS=0-1--µACorrente de Fuga Gate-FonteIGSSVGS=±16V, VDS=0--±10µATensão de CorteVGS(off)VDS=-10V, ID=-1mA-1.2--2.6VAdmitância de TransferênciayfsVDS=-10V, ID=-1.3A1.11.6Resistência em ConduçãoRDS(on)1ID=-1.3A, VGS=-10V-210270m?Resistência em ConduçãoRDS(on)2ID=-0.7A, VGS=-4V-330460m?Aplicações ComunsAmplificadores de áudioCircuitos de comutaçãoReguladores de tensãoAplicações de alta frequênciaPinagemGate (G)Drain (D)Source (S)BenefíciosAlta eficiência energéticaBaixa resistência em conduçãoIdeal para aplicações de alta frequência
