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Transistor IRLZ14 PbF Mosfet To-220
Transistor IRLZ14 PbF Mosfet To-220
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Transistor IRLZ14 PbF Mosfet To-220

IRLZ14 PbF

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**CARACTERÍSTICAS**
- Classificação dinâmica de dV/dt
- Drive de porta de nível lógico
- RDS(on) especificado a VGS = 4 V e 5 V
- Temperatura de operação de 175 °C
- Comutação rápida
- Facilidade de paralelismo
- Requisitos de drive simples
- Compatível com a Diretiva RoHS 2002/95/EC

**DESCRIÇÃO**
Os MOSFETs de potência de terceira geração da Vishay oferecem ao projetista a melhor combinação de comutação rápida, design robusto do dispositivo, baixa resistência ao estado ligado e relação custo-benefício.

O encapsulamento TO-220AB é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais e industriais em níveis de dissipação de potência de aproximadamente 50 W. A baixa resistência térmica e o baixo custo do encapsulamento TO-220AB contribuem para sua ampla aceitação em toda a indústria.

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