O IRFP250N é um transistor MOSFET de canal N ideal para aplicações que exigem alta tensão, corrente elevada e eficiência superior. Amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, drivers de motores e projetos de RF, este componente oferece excelente desempenho térmico e baixa resistência de condução (RDS(on)).
Características Técnicas:
Modelo: IRFP250N
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão máxima (Vds): 200V
Corrente máxima (Id): 30A
RDS(on): 0.085 Ohms
Dissipação de potência: 200W
Encapsulamento: TO-247
Alta velocidade de comutação
Montagem: PTH (furo passante)
Aplicações:
Fontes de alimentação comutada (SMPS)
Amplificadores Classe D
Inversores de frequência
Equipamentos industriais e automotivos
Projetos eletrônicos e de automação
Destaques:
