O IRF530N é um MOSFET N-Channel de alta eficiência, ideal para aplicações de chaveamento e controle de potência. Fabricado pela IR, este transistor oferece baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta capacidade de corrente, garantindo desempenho confiável em circuitos de conversão de energia, reguladores de tensão e motores
VDSS = 100V
RDS(on) = 90m?
ID = 17A
SDGTO-220AB
Os MOSFETs de Potência Avançados HEXFET® da International Rectifier utilizam técnicas de processamento avançadas para alcançar uma resistência de condução extremamente baixa por área de silício. Esse benefício, combinado com a alta velocidade de comutação e o design robusto do dispositivo, característico dos MOSFETs de potência HEXFET, oferece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
O encapsulamento TO-220 é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais e industriais com níveis de dissipação de potência de até aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do encapsulamento TO-220 contribuem para sua ampla aceitação em toda a indústria.
