Utilizando a nova tecnologia de IGBT de interrupção de campo, a nova série de IGBTs de 2ª geração da ON Semiconductor oferece o desempenho ideal para inversores solares, UPS, soldadores, telecomunicações, ESS e aplicações de PFC, onde perdas de condução e comutação baixas são essenciais.
Características ? Temperatura Máxima de Junção: TJ = 175°C ? Coeficiente de Temperatura Positivo para Operação em Paralelo Fácil ? Alta Capacidade de Corrente ? Baixa Tensão de Saturação: VCE(sat) = 1,9 V (Típ.) @ IC = 60 A ? Alta Impedância de Entrada ? Comutação Rápida: EOFF = 7,5 µJ/A ? Distribuição de Parâmetros Aperfeiçoada ? Este Dispositivo é Livre de Pb e Compatível com RoHS
Aplicações ? Inversor Solar, UPS, Soldador, PFC, Telecom, ESS
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