TRANSISTOR MOSFET N-CHANNEL 13N50 (13A / 500V) - ALTA EFICIÊNCIA E DESEMPENHO
Potencialize seus projetos eletrônicos com o Transistor MOSFET 13N50 da Unisonic Technologies (UTC).
O UTC 13N50 é um Power MOSFET de Canal N em modo de aprimoramento, projetado para oferecer o máximo de eficiência e confiabilidade. Utilizando a avançada tecnologia DMOS e estrutura de listras planares, este componente foi otimizado para minimizar a resistência no estado ligado (R_DS(ON)) e proporcionar velocidades de comutação ultrarrápidas.
Ideal para aplicações que exigem robustez, ele é capaz de suportar pulsos de alta energia em condições de avalanche e comutação, garantindo segurança e durabilidade para o seu circuito.
PRINCIPAIS APLICAÇÕES
Este MOSFET é a escolha perfeita para projetos de alta exigência, sendo idealmente adequado para:
- Fontes de alimentação chaveadas de alta eficiência (SMPS)
- Correção de Fator de Potência (PFC)
- Reatores eletrônicos para lâmpadas baseados em topologia de meia ponte
- Inversores e conversores DC-DC
- Circuitos de controle de motores
CARACTERÍSTICAS E BENEFÍCIOS
Alta Capacidade de Corrente e Tensão: Suporta até 13A e 500V, ideal para aplicações de potência.
Baixa Resistência (R_DS(ON)): Apenas 0.48? (típico) a V_GS = 10V, reduzindo perdas por dissipação de calor e aumentando a eficiência.
Carga de Gate Ultra Baixa: Típica de 43nC, permitindo um acionamento mais leve e rápido.
Baixa Capacitância de Transferência Reversa: C_RSS típica de 20pF.
Comutação Rápida: Excelente capacidade de fast switching, otimizando o desempenho em altas frequências.
Alta Robustez: Energia de avalanche testada e capacidade dv/dt aprimorada, garantindo operação segura mesmo em condições extremas.
ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS
Fabricante: Unisonic Technologies Co., Ltd (UTC)
Modelo: 13N50
Tipo: Power MOSFET N-Channel
Tensão Máxima Dreno-Fonte (V_DSS): 500V
Corrente Contínua Máxima (I_D): 13A
Resistência Dreno-Fonte (R_DS(ON)): 0.48? (@ V_GS = 10V)
Encapsulamentos Disponíveis: TO-220F1
