Transistor Mosfet de Potência RF RD07MUS2B-T512 Mitsubishi (7W VHF/UHF)
O RD07MUS2B-T512 é um transistor MOSFET de potência de RF em canal N, projetado pela Mitsubishi Electric para estágios de amplificação (PA) em equipamentos de radiocomunicação móveis e portáteis (HTs). Operando com alta eficiência na faixa de 135 MHz a 870 MHz, é o componente ideal para reposição e manutenção em rádios das faixas VHF, UHF e 800 MHz.
Principais Características Técnicas:
- Potência de Saída (Pout): 7W a 8W (sob alimentação típica de 7.2V)
- Faixa de Frequência: VHF, UHF e 800/870 MHz
- Ganho de Potência (Gp): 13.8 dB em 175 MHz | 13.0 dB em 527 MHz | 11.5 dB em 870 MHz
- Eficiência do Dreno (ηD): 58% a 65%
- Tensão de Alimentação Típica: 7.2V (máximo absoluto Vdss: 25V)
- Encapsulamento: SLP (SMD - Surface Mount Device)
- Sufixo T512: Fornecido em fita/carretel (Tape & Reel) para montagem automatizada
- Proteção Integrada: Diodo ESD de proteção no Gate
Aplicações Recomendadas:
Utilizado no estágio de saída do amplificador de RF em rádios comunicadores profissionais (como modelos das linhas Motorola APX/XTS, Kenwood, Tait, Icom, entre outros) e módulos transmissores de alta performance.
Modelos: APX1000, APX2000, APX3000, APX4000 / APX4000Li, XTS 5000 entre outros modelos
