Transistor LDMOS NE5550979A R$ 69,00 ou 3x de R$ 23,00 sem juros Comprar Transistor LDMOS NE5550979A FET LDMOS Referência: 7618271831680 R$ 69,00 ou 3x de R$ 23,00 sem juros Comprar Esse produto encontra-se indisponível. Deixe seu contato que avisaremos quando chegar. Seu nome: Seu e-mail: Desejo receber e-mails com lançamentos e promoções. Avise-me quando disponível Indicar este produto Veja opções de pagamento Boleto Bancário Parcelas 1x de R$ 69,00sem juros 2x de R$ 34,50sem juros 3x de R$ 23,00sem juros Transistor de Potência LDMOS NE5550979A ? Alto Desempenho para Aplicações RFO NE5550979A é um transistor FET LDMOS de alta eficiência, desenvolvido para aplicações de potência em radiofrequência. Oferece excelente linearidade, eficiência energética e desempenho térmico, sendo ideal para transmissores de RF, rádios profissionais, amplificadores e sistemas de telecomunicações operando entre 100 MHz e 1 GHz.Características Elétricas (DC):Corrente de fuga Gate-Source (IGSS): máx. 100 nA @ VGS = 6 VCorrente de fuga Drain-Source (IDSS): máx. 10 ?A @ VDS = 25 VTensão de limiar (Vth): 1.15 V a 2.25 V @ VDS = 7.5 V, IDS = 1 mATensão de ruptura Drain-Source (BVDSS): mín. 25 V, típ. 37 V @ IDS = 10 ?ATranscondutância (Gm): 1.8 a 2.9 S @ VDS = 7.5 V, IDS = 700 mAResistência térmica (Rth): 5 °C/W (canal para case)Desempenho em RF:Frequência: 460 MHzPotência de saída: 39.5 dBmCorrente de dreno: 1.70 AEficiência de drenagem: 68%Eficiência adicionada de potência (PAE): 66%Ganho linear: 22.0 dBFrequência: 157 MHzPotência de saída: 39.6 dBmCorrente de dreno: 1.60 AEficiência de drenagem: 75%Eficiência adicionada de potência (PAE): 73%Ganho linear: 25.0 dBFrequência: 900 MHzPotência de saída: 38.6 dBmCorrente de dreno: 1.76 AEficiência de drenagem: 55%Eficiência adicionada de potência (PAE): 52%Ganho linear: 16.0 dBAplicações Típicas:Amplificadores de RF VHF/UHFEstações base e repetidorasRádios profissionais e transmissoresEquipamentos de teste e instrumentação de RF
