O RA80H1415M1 é um módulo amplificador RF MOSFET de 80 watts para rádios móveis de 12,5 volts que operam na faixa de 144 a 148 MHz.
A bateria pode ser conectada diretamente ao dreno dos transistores MOSFET de modo de enriquecimento. A potência de saída e a corrente de dreno aumentam conforme a tensão do gate aumenta. Com uma tensão de gate em torno de 4V (mínimo), a potência de saída e a corrente de dreno aumentam substancialmente. A potência de saída nominal torna-se disponível em 4,5V (típico) e 5V (máximo). Com VGG = 5V, a corrente de gate típica é de 1 mA.
Este módulo é projetado para modulação FM não linear, mas também pode ser usado para modulação linear ajustando a corrente de repouso do dreno com a tensão do gate e controlando a potência de saída com a potência de entrada.
CARACTERÍSTICAS
- Transistores MOSFET de Modo de Enriquecimento
(IDD ? 0 @ VDD = 12,5V, VGG = 0V) - Pout > 80W, ?T > 50% @ f = 144-148MHz,
Pout > 60W, ?T > 50% @ f = 136-174MHz,
VDD = 12,5V, VGG = 5V, Pin = 50mW - Faixa de Frequência de Banda Larga: 136-174MHz
- Corrente de Controle de Baixa Potência IGG = 1mA (típica) a VGG = 5V
- Tamanho do Módulo: 67 x 19,4 x 9,9 mm
