Transistor IRFP 7530 N Mosfet TO-247

O IRFP7530 é um transistor MOSFET de potência N-channel, ideal para aplicações que exigem alta eficiência e robustez. Abaixo, estão as especificações detalhadas e características principais:
Especificações Técnicas

• ID @ TC = 25°C: Corrente contínua de dreno, VGS @ 10V (Limite de Silício) - 281 A
• ID @ TC = 100°C: Corrente contínua de dreno, VGS @ 10V (Limite de Silício) - 199 A
• ID @ TC = 25°C: Corrente contínua de dreno, VGS @ 10V (Limite de Fios) - 195 A
• IDM: Corrente de dreno pulsada - 760 A
• PD @ TC = 25°C: Dissipação máxima de potência - 341 W
• Fator de Derivação Linear: 2.3 W/°C
• VGS: Tensão gate-to-source - ± 20 V
• TJ/TSTG: Faixa de temperatura de operação e armazenamento - -55°C a +175°C
• Temperatura de Soldagem (por 10 segundos a 1.6 mm do case): 300°C
• Torque de Montagem: 10 lbf·in (1.1 N·m)

Características de Avalanche

• EAS: Energia de avalanche de pulso único (limitada termicamente) - 557 mJ
• IAR: Corrente de avalanche - A (consultar gráficos)

Resistência Térmica

• R?JC: Juncao para case - 0.44 °C/W
• R?CS: Case para sink (superfície plana e grelhada) - 0.24 °C/W
• R?JA: Juncao para ambiente - 40 °C/W (estático @ TJ = 25°C)

Características Elétricas

• V(BR)DSS: Tensão de breakdown dreno-para-source - 60 V
• RDS(on): Resistência de on do dreno-para-source - 1.65 - 2.00 m? (VGS = 10V, ID = 100A)
• VGS(th): Tensão de limiar do gate - 2.1 - 3.7 V (VDS = VGS, ID = 250?A)
• IDSS: Corrente de fuga dreno-para-source - 1.0 ?A (VDS = 60V, VGS = 0V)

Notas Importantes

1. O limite de corrente contínua é baseado na temperatura máxima do junção.
2. A corrente de avalanche é limitada por TJmax, começando em TJ = 25°C.
3. O R? é medido a aproximadamente 90°C.

O IRFP7530 é amplamente utilizado em fontes de alimentação, inversores e sistemas de controle de motores devido à sua capacidade de manejar altas correntes e tensões com eficiência. Se precisar de mais informações ou tiver alguma dúvida, fique à vontade para perguntar